什麼是「第三代半導體」？為什麼 AI 資料中心需要納微的氮化鎵技術？

2025年第四季，當大多數半導體公司還在為消費電子需求疲軟擔憂時，專注於第三代半導體（GaN、SiC）的納微半導體（Navitas Semiconductor）已經悄悄完成了一場深刻的戰略轉型。該公司財報顯示，高功率市場對其整體營收占比首次超越所有其他業務，而行動裝置相關營收占比則急降至不到25%。這一轉向不是偶然，而是對AI革命所需能源效率挑戰的直接回應。

根據納微執行長Chris Allexandre的說明，公司正運用「領先業界的氮化鎵與高壓碳化矽解決方案」，瞄准三大高成長領域：AI資料中心、電網與能源基礎建設、高效能運算（HPC）。幾組關鍵數字揭示了轉型的急迫性與潛力：預計到2030年，這些領域的可用市場規模（TAM）將達到35億美元，相當於眼下公司全年營收的40倍以上。

第三代半導體氮化鎵技術解析

第三代半導體是指寬能隙半導體材料，主要包括氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）。相比傳統矽（Si），這兩種材料能承受更高的電壓與溫度，同時以更小的尺寸實現相同的功率處理能力。這意味著在電源轉換系統中（無論是伺服器電源供應器、快速充電器還是電動車充電基础设施），GaN和SiC都能顯著提升能效、減少熱量產生、降低整體系統成本。

納微半導體成立於2014年，是GaN功率IC領域的領導者，擁有 from‑design‑to‑manufacturing 的完整技術鏈。其產品主要應用在消費電子的快速充電器（曾經是營收主力），但隨著市場飽和與價格競爭加劇，公司果斷將資源重新配置到高功率領域。2025年Q4，高功率業務首次貢獻超过50%的營收，標誌著其業務組合質的根本性變化。

納微半導體的战略轉型「Navitas 2.0」

「Navitas 2.0」不僅是一句口號，而是具體的組織與產品組合重塑。公司在2025年Q4加速推動此轉型，主要措施包括：

• 擴大GaN與SiC產品組合，覆蓋從100V到數千伏的完整電壓範圍
• 整合軟硬體解決方案，提供系統級優化，而非僅僅銷售單一晶片
• 強化與一線資料中心、電網設備製造商的深度合作
• 削減消費電子業務的資源配置，將研發與行銷資源集中於高功率市場

財報數字彰顯了轉型的初步成效：Q4營收730萬美元，雖年減近60%（主要因消費電子基數效應），但仍優於分析師預期的695萬美元；預期2026年Q1營收將達800-850萬美元，遠高於市場預估的734.5萬美元。股價在消息公布後單日飆漲19.61%，反映出投資者對其新業務方向的強烈認同。

AI資料中心對GaN功率IC的需求爆炸

AI伺服器與資料中心正面臨前所未有的電力密度與散熱挑戰。單台大型語言模型（LLM）訓練伺服器的功耗可突破10kW，而一個現代資料中心的總功耗往往超過數百MW。在這樣的規模下，電源轉換效率直接影響運營成本與碳足跡。

根據industry analysis，資料中心電力成本佔總運營成本的30-40%，而電源供應系統（包括AC-DC與DC-DC轉換）佔總能耗的10-15%。在此環節應用GaN功率元件，可將轉換效率從94-96%提升至98%以上，實質上為每MW負載節約數十萬美元的年度電力支出。這解释了为什么 hyperscalers（亞馬遜、Google、微軟、Meta）與雲端服務供應商紛紛將GaN列為資料中心升級的關鍵技術。

納微已與多間領先的資料中心設備合作夥伴建立設計合作，其GaN功率IC被用於下一代高效能電源供應器。此外，高壓碳化矽（SiC）解決方案則針對電網級功率轉換與儲能系統，這些都是AI資料中心配套能源基礎設施的重要組成部分。

2030年35億美元市場規模圖譜

這35億美元的可用市場規模（TAM）细分包括：AI資料中心電源供應與冷卻系統（預估佔比40%）、電網與能源基礎建設（30%）、高效能運算（20%）以及工業電氣化（10%）。值得注意的是，AI資料中心子市場的成長動力最強，主要受惠於大模型訓練推理需求每3-4倍增長，帶動對高效能、低功耗電源 Solution 的急迫需求。

2026年投資策略：GaN供應鏈的價值重估與機會

納微半導體市值約30億美元（截至2025年2月），已完全反應其從消費電子轉向高功率市場的戰略。然而，其股價年增38.38%顯示市場開始Price‑in其未來的成長潛力。對於投資者而言，問題不在於是否該關注GaN，而在於如何參與這場功率半導體的升級浪潮。

GaN功率半導體價值鏈可分為：上游材料（GaN磊晶片）、中游設計與製造（IDM模式或晶圓代工）、下游系統整合。目前，納微、PI（Power Integrations）、超越電子（Transphorm）等廠商競爭激烈，但產品定位略有不同。納微強調「從晶片到系統」的整合方案，PI則在專利保護與量產經驗上佔優。

從估值角度分析，GaN功率半導體未來五年CAGR將超過30%，稀缺性與高成長邏輯將推動板塊重估。但風險在於：若AI資料中心建設放緩，或若GaN成本下降不及預期導致取代硅基方案的速度低於預期，均可能影響實際需求兑现。

地緣政治與供應鏈：美國晶片法案對GaN產業鏈的長期影響

美國《晶片與科學法案》（CHIPS and Science Act）為半導體製造與研發提供約527億美元補貼，其中第三代半導體屬於重點補助對象。這意味著像納微這樣的美國本土GaN IDM廠商，在美國境內擴產時可獲得意想不到的成本優勢。

然而，地緣政治也帶來風險。中國正在大力推動自己的第三代半導體產業鏈自主化，若未來形成兩個平行的供應體系，將對全球GaN廠商的市場策略產生深遠影響。另外，部分關鍵設備與材料（例如高純度磊晶基板）仍依賴少數供應商，供應鏈韌性成為2026年之後的關鍵課題。

總結：從功率半導體看到 AI 革命的下一個前沿

氮化鎵功率IC看似是「小配件」，實則是支撐AI運算持續擴張的關鍵_enabler_。沒有能源效率的提升，AI資料中心的規模將受限於電力供給與散熱能力。納微半導體的轉型提供了清晰的案例：從消費級到企業級、從低功率到高功率、從產品銷售到系統方案。這條路徑值得其他半導體公司借鑒。

展望2026與2027年，GaN在AI資料中心的滲透率將從當前的個位數快速上升，相關供應商將迎來量與利的雙重增長。市場關注點應放在：產品的實際能源效率提升幅度、客戶的部署速度、以及供應鏈的本土化進度。這些將決定最終誰能從35億美元的蛋糕中切下最大一塊。