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記憶體市場迎來變革？SanDisk、SK hynix聯手制定HBF標準
隨著人工智慧(AI)技術的蓬勃發展，對於記憶體的需求也日益增長。SanDisk與SK hynix正在聯手制定High Bandwidth Flash (HBF)技術規範，旨在為AI應用提供更高效能的記憶體解決方案。這項舉措不僅可能改變現有的記憶體格局，更將開創AI記憶體的新紀元。HBF究竟是什麼？它又將帶來哪些深遠的影響呢？
HBF：AI記憶體的新選擇
HBF（High Bandwidth Flash）技術的核心在於，它並非完全採用DRAM作為記憶體堆疊結構，而是引入NAND快閃記憶體作為主要的儲存層。這使得HBF的容量密度可以達到傳統DRAM型HBM的8到16倍，同時也保有高速讀取能力。雖然在存取延遲方面略遜於純DRAM，但HBF在需要長時間維持大型模型資料的AI推論與邊緣運算場景中，能有效降低能源消耗與散熱壓力，展現出獨特的優勢。簡而言之，HBF是HBM的一個替代方案，在高容量、低功耗方面更具優勢。
HBF的技術細節
HBF採用SanDisk專有的BiCS NAND與CBA技術，將高層數3D NAND儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，實現高頻寬、低延遲且高密度的互連。這項技術上的突破，為HBF在AI應用中提供了強大的支援。
HBF的應用場景
雖然目前AI市場仍以HBM為核心，但HBF在節能與降低HBM壓力上的優勢，使其成為未來NAND技術的重要發展方向之一，並有潛力在特定應用中補足甚至改變現有記憶體配置格局。特別是在AI推論和邊緣運算等對功耗敏感的應用中，HBF的優勢將更加明顯。
HBF的未來動向
HBF記憶體樣品預計將於2026年下半年推出，首批搭載該技術的AI推論硬體預計於2027年初問世。業界普遍認為，憑藉SK hynix與多家AI晶片製造商的緊密合作關係，HBF一旦完成標準制定，有望快速獲得市場採用。
HBF的優勢和劣勢
優勢：
- 更高的容量密度：相比HBM，HBF提供8-16倍的容量。
- 更低的功耗：在AI推論和邊緣運算中，能有效降低能源消耗。
- 降低HBM壓力：提供一個HBM的替代方案，減輕對HBM的需求壓力。
劣勢：
- 存取延遲：相較於純DRAM的HBM，HBF的存取延遲略高。
- 市場接受度：HBM已經在市場上佔據主導地位，HBF需要時間來建立市場。
深入分析前景與未來動向
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