在半導體產業持續邁向摩爾定律的極限，互連微縮和電晶體效能的提升成為關鍵挑戰。英特爾晶圓代工在近期公布了多項突破性技術，致力於解決這些問題，並為下一代半導體技術鋪路。本文將深入探討英特爾晶圓代工的最新技術，並分析其對半導體產業的影響。
英特爾晶圓代工的突破性技術
傳統的銅互連技術在微縮至奈米尺度時，會遇到電阻率增加和電容效應的問題。英特爾晶圓代工利用減材釕技術，有效降低線間電容，並提升電晶體容量達 25%。減材釕作為一種新的金屬化材料，為突破互連微縮的瓶頸提供了有效方案。
選擇性層遷移技術（SLT）可以將超薄小晶片從一個晶圓遷移到另一個晶圓，實現超高速晶片對晶片組裝。此技術讓進出量提高 100 倍，為異質整合提供了更靈活、更具成本效益的解決方案，進一步提升 AI 應用的效率和彈性。
英特爾晶圓代工展示了閘極長度為 6 奈米的矽 RibbonFET CMOS 電晶體，大幅微縮閘極長度和通道厚度，同時保持業界領先的短通道效應和效能。這項技術進展為閘極長度微縮開創了新的可能性，為未來更先進的環繞式閘極技術奠定了基礎。
英特爾晶圓代工展示了閘極長度縮小至 30 奈米的 GAA 2D NMOS 和 PMOS 電晶體，並專注於閘極氧化物（Gox）模組的開發。這項研究顯示了二維（2D）過渡金屬二硫族化物（TMD）半導體在未來先進電晶體製程中取代矽的可能性。
英特爾晶圓代工的技術優勢
英特爾晶圓代工的技術突破，為半導體產業帶來了多項優勢，包括：
英特爾晶圓代工的技術劣勢
然而，英特爾晶圓代工的技術突破也存在一些挑戰，包括：
英特爾晶圓代工的未來展望
英特爾晶圓代工的技術突破，將為半導體產業帶來巨大的潛力，包括：
常見問題QA
英特爾晶圓代工的技術突破，將會激勵其他半導體廠商加速技術創新，並推動整個產業的發展。
相關連結：
Share this content:
