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中國半導體產業自主化進程再傳新進展！根據報導，中芯國際正在測試由上海新創公司宇量昇所研發的國產DUV（深紫外線）光刻機。這項測試結果初步理想，被視為中國在突破技術封鎖、實現半導體自主生產上的重要一步。光刻機是半導體製造的核心設備，其自主研發的成功，對於中國半導體產業的未來發展至關重要。
國產DUV光刻機的技術突破
- 技術原理：與ASML類似的浸沒式技術
宇量昇的DUV光刻機採用了與荷蘭ASML類似的「浸沒式」技術。這種技術透過在鏡頭和晶圓之間加入液體介質，提高光學解析度，進而製造出更精細的晶片。 - 製程能力：針對28nm，可延伸至7nm甚至5nm
該光刻機主要針對28nm製程節點設計，但透過多重圖案化技術，理論上可以生產7nm甚至5nm級別的晶片。然而，需要注意的是，在更先進的製程下，良率可能會相對較低。 - 零件國產化程度：主要零件已實現本地生產，部分仍需進口
據消息人士透露，這款DUV光刻機的主要零件已實現本地化生產，但仍有部分零件需要依賴進口。宇量昇正積極致力於完全自主化生產，目標是進一步降低對西方技術的依賴。
宇量昇公司背景
上海宇量昇科技股份有限公司是深圳半導體裝置製造商新凱來的子公司，註冊資本人民幣10億元。該公司成立於2022年，位於華為半導體生態系統中，專門從事半導體裝置研發及製造，特別專攻光刻機技術。公司控股權由深圳市新凱來技術有限公司及創科微（上海）技術有限公司平分，各持股50%，並與華為、上海微電子、清華大學等建立技術合作關係。
產業化面臨的挑戰與預計時間表
儘管初期測試結果理想，但新型DUV裝置通常需要至少一年持續調校，才能達到量產所需的穩定度與良率。中芯國際計劃在2026年將產能提高三倍，但大部分增產仍將使用現有的ASML DUV裝置。國產裝置預計最早於2027年開始量產，從原型機到量產並與ASML競爭仍需數年時間。
戰略意義：鼓舞人心的技術突破
在美國對華科技出口管制不斷升級的背景下，國產DUV光刻機成功測試，被視為中國半導體裝置國產化進程中的重要里程碑，為中國半導體產業提供更多自主選擇。若能成功量產，將幫助中國突破美國的出口管制，提升先進AI晶片產能。
優勢和劣勢的影響分析
- 優勢：
- 打破技術封鎖： 降低對國外技術的依賴，提升產業自主性。
- 保障供應鏈安全： 應對潛在的國際政治風險，確保晶片供應。
- 促進技術創新： 刺激國內半導體產業的研發投入和技術進步。
- 劣勢：
- 良率和穩定性： 相較於ASML等成熟產品，初期良率可能較低，穩定性仍需驗證。
- 成本： 國產化初期，生產成本可能較高。
- 技術差距： 在更先進的EUV光刻機技術上，仍與國際領先企業存在差距。
深入分析前景與未來動向
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