HBM4（High Bandwidth Memory 4）是下一代高頻寬記憶體技術，預計將為資料中心、人工智慧（AI）和高效能運算（HPC）等領域帶來革命性的效能提升。作為 DRAM（動態隨機存取記憶體）的一種形式，HBM4 旨在克服傳統 DRAM 速度和頻寬的限制，滿足現代應用對資料處理速度日益增長的渴望。
三星加速 HBM4 開發，計畫 2025 年底量產
HBM4 採用堆疊式記憶體架構，將多個 DRAM 晶片垂直堆疊，並透過微型矽穿孔（TSV）技術相互連接。這種設計大幅提升了資料傳輸速率和容量，優於傳統記憶體架構。HBM4 可為 AI、HPC 和資料中心應用提供前所未有的效能提升。
三星已完成 HBM4 的邏輯晶片開發，並啟動了 4 奈米試產工作。此舉表示三星正在按計劃推動 HBM4 的量產，預計在 2025 年下半年正式推出。三星的快速開發進程，將使其在競爭激烈的記憶體市場中保持領先地位，並滿足 NVIDIA、微軟和 Meta 等關鍵客戶的需求。
與上一代 HBM3E 相比，HBM4 的資料傳輸速率提升了約 66%，達到驚人的 2TB/s。此外，HBM4 還支援 6.4GT/s 的介面運行速度，介面位寬為 2048 位元，最大容量可達到 48GB，比上一代產品提升了約 33%。
三星與台積電的合作
PIM 技術的潛在應用
HBM4 對產業的影響
HBM4 的前景與未來動向
常見問題 QA
A：三星預計在 2025 年下半年開始量產 HBM4 晶片。
A：HBM4 將主要應用於資料中心、AI 和 HPC 等領域，例如高性能運算、雲端服務、圖形處理等。
A：HBM4 的資料傳輸速率、介面運行速度和容量都比上一代產品有了顯著提升。
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