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三星豪擲千億加購High-NA EUV，能否扭轉頹勢？
三星電子傳出將大手筆投資超過1兆韓元，加購ASML最新一代High-NA EUV設備，這項舉動不僅顯示了三星在先進製程上的雄心壯志，也引發了業界對於其能否藉此技術扭轉頹勢，重奪晶圓代工領先地位的廣泛關注。 High-NA EUV技術被視為突破製程瓶頸的關鍵，但高昂的成本也為三星帶來了巨大的財務壓力。這項投資究竟是明智之舉，還是豪賭一場？
High-NA EUV：先進製程的敲門磚
High-NA EUV，即高數值孔徑極紫外光刻，是目前最先進的晶片製造技術之一。相較於傳統EUV，High-NA EUV擁有更高的解析度，能在相同晶圓面積上刻畫更高密度的電路結構，從而製造出更小、更快、更節能的晶片。對於追求更高性能和更低功耗的先進製程，如2奈米及以下節點，High-NA EUV幾乎是不可或缺的工具。
三星在晶圓代工市場上面臨著台積電的強勁競爭，尤其是在先進製程方面。加購High-NA EUV設備，是三星提升製程技術、縮小與競爭對手差距的重要舉措。透過導入這項技術，三星希望能提高2奈米及以下製程的良率和量產效率，從而在市場上更具競爭力。
三星的High-NA EUV佈局
三星目前已在華城園區設置一台研發用的High-NA EUV（EXE:5000），主要用於驗證線寬縮小與光學對焦精度的穩定性。 此次預計採購的新型5200B，相較前一代，將數值孔徑（NA）提升至0.55，解析度提升約1.7倍。預計在2025年啟動2奈米製程量產，並在2027年導入1.4奈米節點。
High-NA EUV的挑戰與機會
相關實例
例如，英特爾也積極導入High-NA EUV，以期在製程技術上趕上台積電和三星。 這也顯示了 High-NA EUV在先進製程競爭中的重要性。
優勢和劣勢的影響分析
深入分析前景與未來動向
High-NA EUV的導入，將加速晶片製程的微縮進程，推動半導體產業的發展。 未來，隨著技術的成熟和成本的降低，High-NA EUV將會更廣泛地應用於各種先進製程中。
常見問題QA
每台High-NA EUV價格高達約5,500億韓元（約新台幣121億元）。
High-NA EUV可以製造出更小、更快、更節能的晶片，提升晶片性能。
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