SK海力士首次量產12層HBM3E記憶體，搶占AI市場

SK 海力士領先業界！12 層 HBM3E 量產啟動！

– 高带宽記憶體（HBM）是目前最先進的記憶體技術之一，能夠在低功耗下提供極高的頻寬，非常適合用於 AI 處理器、高效能運算以及資料中心等領域。SK 海力士在 HBM 領域一直以來都是領導者，而近期更是宣布率先開始 12 層 HBM3E 量產，展現其在 AI 記憶體市場的強大實力。

SK 海力士 12 層 HBM3E 的重要性

為什麼 12 層 HBM3E 如此重要？
12 層 HBM3E 的推出象徵著 HBM 技術邁入一個全新的里程碑，它能夠以更小的體積提供更大的容量，並且提供更快的存取速度，進一步提升 AI 處理器的效能。

SK 海力士如何實現 12 層 HBM3E？

– SK 海力士在 HBM3E 量產過程中，採用了多項關鍵技術，包括：
– **矽穿孔技術 (TSV)**：將 DRAM 晶片垂直堆疊，實現更高密度和更低功耗。
– **批量迴流底部模制填充 (MR-MUF)**：利用低壓、低溫鍵合技術，提升散熱性能並減少翹曲問題。
– **熱壓縮 (TC) 鍵合設備**：SK 海力士向 ASMPT 訂購了超過 30 台 TC 鍵合設備，用於生產 12 層 HBM3E。

SK 海力士 12 層 HBM3E 的優勢與劣勢

– **優勢**：
– 更高容量：與 8 層 HBM3E 相比，容量提升 50%。
– 更快速度：存取速度更快，更適合 AI 處理器和高效能運算。
– 更低功耗：TSV 技術可以降低功耗。
– 更小體積：與傳統記憶體相比，體積更小。
– **劣勢**：
– 製造成本較高：12 層 HBM3E 的製造成本較高，價格可能更高。
– 技術挑戰：開發和生產 12 層 HBM3E 存在技術挑戰。

SK 海力士 12 層 HBM3E 的未來發展

– SK 海力士 12 層 HBM3E 的推出，將進一步推動 AI 和高效能運算的發展，並為企業帶來更多創新應用。未來，SK 海力士將持續研發更先進的 HBM 技術，並擴大其應用領域，以滿足不斷增長的市場需求。

常見問題 QA

– **Q：SK 海力士 12 層 HBM3E 將與哪些 AI 加速器搭配使用？**
– **A：**SK 海力士 12 層 HBM3E 將與 NVIDIA 的 Blackwell，以及 AMD 的 MI325、MI350 等 AI 加速器搭配使用。
– **Q：SK 海力士 12 層 HBM3E 的市場份額預期如何？**
– **A：**研調機構 TrendForce 預期，2025 年 HBM3E 將占 HBM 需求 80%，其中一半將來自 12 層 HBM。