AI 記憶體大躍進！SK 海力士領先全球量產 12 層 HBM3E
– 高带宽記憶體 (HBM) 是人工智慧 (AI) 發展的關鍵，HBM3E 是目前最先進的 HBM 技術，能提供高性能、低功耗的記憶體解決方案，滿足 AI 應用的需求。SK 海力士領先業界，率先開始量產 12 層 HBM3E，展現了其在 AI 記憶體領域的領先地位。
SK 海力士的 HBM3E 技術突破
HBM3E 是 HBM 的最新一代技術，它採用了先進的封裝技術，將多個 DRAM 晶片垂直堆疊，以實現高带宽、高容量和低功耗的記憶體解決方案。
12 層 HBM3E 代表了 HBM 技術的重大突破，它提供了更高的記憶體密度，能滿足 AI 應用對高性能記憶體的需求。
SK 海力士克服了晶片堆疊技術的挑戰，將單個 DRAM 晶片製造得更薄，並採用矽穿孔技術 (TSV) 垂直堆疊 12 個 3GB DRAM 晶片，實現了與 8 層 HBM 相同的厚度，同時容量提升了 50%。此外，SK 海力士還採用了 MR-MUF 技術來黏合 HBM 記憶體，提升了散熱性能和穩定性。
ASMPT 設備的重要性
ASMPT 的 TC 鍵合設備對 HBM 生產至關重要，它可以幫助將多個 DRAM 晶片垂直堆疊並黏合在一起。SK 海力士訂購了超過 30 台 ASMPT 設備，用於生產 12 層 HBM3E。
ASMPT 的設備在 SK 海力士的測試中表現優於其他競爭對手，例如 Hanmi Semiconductors。ASMPT 設備具有高精度、高可靠性、高產量等優勢，可以滿足 SK 海力士生產 12 層 HBM3E 的需求。
相關實例
– 12 層 HBM3E 將被用於 NVIDIA 的 Blackwell 和 AMD 的 MI325、MI350 等 AI 加速器。
– TrendForce 預計，2025 年 HBM3E 將占 HBM 需求的 80%，其中一半將來自 12 層 HBM。
優勢劣勢與影響
– 優勢：SK 海力士領先業界，率先量產 12 層 HBM3E，鞏固了其在 AI 記憶體市場的領導地位。
– 劣勢：三星也正在研發 12 層 HBM，但目前尚未通過測試。
– 影響：SK 海力士的技術突破將加速 AI 應用的發展，並推動 HBM 市場的成長。
深入分析前景與未來動向
– 隨著 AI 技術的快速發展，對高性能記憶體的需求將持續增加。
– SK 海力士將繼續在 HBM 技術上進行研發，以滿足未來 AI 應用的需求。
– HBM3E 技術將成為未來 AI 應用的關鍵，並推動記憶體產業的發展。
常見問題QA
A：SK 海力士一直致力於在 AI 記憶體領域保持領先地位，量產 12 層 HBM3E 將幫助公司滿足日益增長的 AI 應用需求。
A：12 層 HBM3E 提供了更高的記憶體密度和性能，將加速 AI 應用的發展，並推動 AI 產業的進步。
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