英特爾3節點製程全面升級,FinFET技術邁向巔峰

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在2024 IEEE VLSI研討會上,英特爾(Intel)介紹了Intel 3節點製程的技術細節。因為Intel 3是英特爾最後一代FinFET電晶體技術的節點製程,在Intel 3之後,英特爾接下來將會轉入Intel 20A及Intel 18A,並且改用GAA(環繞式閘極結構)技術的RibbonFET設計。

英特爾強調,相較Intel 4節點製程也增加了使用EUV的步驟,英特爾表示,Intel 3是一個長期提供代工服務的節點製程,而且為了滿足市場的需求,Intel 3節點製程中還推出了其他的三個增強或特殊節點製程。

根據英特爾的說法,在Intel 3節點製程中,除標準的Intel 3節點製程外,在其他三個增強或特殊節點製程中,Intel 3-E支援1.2V高電壓,適合模擬模組的製造。另外,在Intel 3-PT製程中將進一步提升了整體性能,並支持更精細的9μm間距的矽穿孔TSV和混合鍵合技術,可對應密度更高的3D堆疊設計,預計用在人工智慧與高效能運算處理器產品。英特爾強調,做為其最後一代FinFET技術製程,Intel 3-PT將在未來多年成為主流選擇,與埃米級製程節點一同被內外部的代工客戶所使用。

相較於Intel 4節點製程技術,Intel 3節點製程導入了210nm的高密度函式庫,在電晶體性能取向上提供更多可能。英特爾表示,其基礎Intel 3製程技術在採用高密度函式庫的情況下,相較Intel 4製程技術最多可提升18%運算性能。此外,標準的Intel 3製程技術電晶體密度也增加了10%,達到了全節點效能提升的目標。

另外,電晶體上的金屬佈線層部分,Intel 3在Intel 4的14+2層外,還提供了12+2和19+2兩種新選項,分別針對低成本和高性能市場應用。而具體到每個金屬層來說,英特爾在Intel 3的M0和M1等關鍵層上保持了與Intel 4相同的間距,主要是將M2和M4的間距從45nm降低至42nm。

就先前專注在4年5節點的晶圓代工業務目標推進上,英特爾宣布已經完成是intel 7與intel 4,加上intel 3節點製程的量產動作,並預計在2024年上半年推進intel 20A製程,以及在2024年下半年推進intel 18A製程。

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